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石墨烯介紹石墨烯簡介
石墨烯（Graphene）是由碳的單原子層構成新的蜜蜂窩式的二維納米結構材料。2004年，英國Manchester大學的A.K.Geim小組率先用膠帶以機械剝離方法制得了單原子層厚的石墨烯，并發現它具有電場可控載流子性能。它的發現者A. K. Geim和K. Novoselov因發現石墨烯及其獨特的電學性能而獲得2010年諾貝爾物理學獎。簡單命名分為單層石墨烯（graphene)，雙層石墨烯（bilayer graphene)，少層石墨烯(Few layer graphene，2-5 層），多層石墨烯（Multilayergraphene, 5-10層），石墨烯微片(Graphene nanoplatelet)，統稱為石墨烯相關材料(Graphene nanomaterials)。
石墨烯具有優異電學性能，其室溫載流子遷移率可高達105cm2/V×s，是Si電子遷移率的100倍和空穴遷移率的300倍，其載流子濃度從0-1013/cm2高度可調，承載電流的本領超過108 A/cm2，是銅的上千倍。飽和漂移速度可達108 cm/s（Si的6~7倍）；石墨烯的熱導率可達5000 W/m?K，是室溫下純金剛石的3倍；石墨烯從紫外可見光到近紅外光很寬波長范圍均具有優異的97%透光性。石墨烯的力學強度可達130 GPa；大的比表面積~2600 m2/g、寬的電化學窗口。與傳統的半導體二維電子氣體相比，石墨烯是真正的單原子二維電子體系，零帶隙能帶結構，具有電中性點（Dirac 點），在Dirac 點，電子表現無質量、相對論Dirac 費米子行為，即獨特的線性能量色散關系。石墨烯晶體結構由兩套碳原子的三角格子組成，波函數有兩個分量組成，電子和空穴具有相反的手性。載流子在垂直穿越石墨烯勢壘具有完全透射的Klein隧穿行為。被認為是以自下而上的方法構筑未來納米電子學電路有希望的材料之一，預期在將來的高速納米電子、光電子器件、能量轉化器件、功能復合材料的填充組分、生物化學傳感器等方面得到應用。石墨烯獨特的結構和優異的性能有可能使它在多個領域獲得重大的實際應用，為未來的經濟、社會發展提供新的有力增長點，應用范圍覆蓋了能源、環境、信息、生命醫學、新材料等領域，尤其是汽車、電子、航空航天、醫療等工業。
2010年Nobel物理獎獲得者A. K. Geim和K. Novoselov
1、國際發達國家相關方向研究計劃和研究具體熱點：
石墨烯以其具有各種電學、熱學、機械性能已經引起國際產業界的巨大研發熱情，作為新型材料在新能源和新一代信息技術中都具有十分重要的應用前景。石墨烯作為工業基礎材料，將其各種卓越的性能發揮出來，必然導致整個人類工業體系的變革，無論是新能源、電子信息、消費電子（柔性顯示）、軍事航天裝備都在其覆蓋范圍之內，美國、歐洲、日韓、新加坡等政府機構、多所知名大學、研究機構和產業投入巨資進行石墨烯領域的研發。
2011年，媒體報道歐盟啟動的“旗艦”計劃投入10億歐元，著重于石墨烯制備及在信息與通信技術應用。包括130個研究團隊。其中以查爾姆斯大學牽頭的9個團隊率先在2011年5月1號執行graphene-CA計劃，根據傳統的和全新的信息與通信技術，開發石墨烯在其中的潛在應用，同時從基礎上理解石墨烯的特征和掌握石墨烯的制備技術。2011年，英國政府宣布投入￡50 million在Manchester大學成立石墨烯全球研究技術中心，旨在開發新的石墨烯技術應用。
美國軍方和各大企業，如 IBM，Intel，3M，SEMATECH也都有相關立項。一些產業投入巨資成立了多家企業，從事石墨烯粉體和薄膜的規?；苽?，以及在電子、能源領域的應用。IBM和Berkley 在石墨烯基的集成電路、高頻場效應放大器、寬帶高速的光調制器和光探測器方面布局和開展了相關項目研究開發。另外，石墨烯納米帶具有獨特的能帶結構和邊緣態性質，在電子、光電子及自旋電子學方面具有重要應用前景，美國和法國在制備石墨烯納米帶及其電子、自旋器件應用方面開展了為期三年的合作研究。
亞洲，除中國外，主要包括韓國、日本和新加坡，他們加大力度從石墨烯制備入手，開展石墨烯的多項應用。其中韓國政府、企業和個人計劃接下來6年，投入2億美元的預算，此外，還計劃投入幾億美元到石墨烯相關的研究機構，從9個方面全面實施石墨烯的應用，主要包括石墨烯觸摸屏，有機發光二極管，智能窗，二次電池，超級電容器，復合材料，高性能阻氣膜，電池屏蔽和鐵板的抗氧化層。新加坡計劃到2020年在透明導電涂層方面投資500億美元。從2010年石墨烯研究中心成立，目前已投資1億美元。
石墨烯應用領域（來源：Nanowerk）和石墨烯市場預期（來源，BCC research）
2、各研究方向的現狀和技術發展趨勢
（1）規?；苽浼皩щ?、導熱應用
已有幾種制備石墨烯材料的技術：機械剝離、外延生長、CVD以及液相化學、高溫膨脹等方法。然而，迄今為止，這些制備石墨烯的方法都存在一定缺點。機械剝離法可以獲得不同層數的石墨烯片，具有高的質量，但不能實現大量生產。SiC外延法生長石墨烯，可以獲得高質量、面積較大的石墨烯，但襯底成本昂貴，生成的石墨烯性能受襯底影響較大，剝離困難。采用CVD能夠合成面積較大的石墨烯膜，在制作器件方面具有明顯優勢，但量產還受到CVD設備和其薄膜結構的限制，同時均勻性還有待改善。液相化學方法合成的石墨烯，可以大規模的合成，并實現水溶液分散和保存，然而，合成過程中帶來的缺陷和含氧基團，導致電學性能差?？焖俑邷嘏蛎浤軌颢@得大量的薄層石墨烯片，但目前起始原料都采用有含氧官能團的膨脹石墨，得到的薄層石墨烯片同樣有含氧基團，導電性能不理想。
目前，美國已經成了Vorbeck Materials, XG Sciences, AngstronMaterials, 均宣布能夠實現若干噸/年的產能。英國成立了Graphene Industries Limited公司。我國也成立了一些石墨烯制備和應用產業化開發的公司。盡管石墨烯的應用出口還有待明確，但這些公司開展了規?；苽涞漠a業化，為尋找石墨烯的工業應用走出了第一步。然而，這些公司規?；苽涞氖┻€僅限于厚的石墨烯微片（幾個納米厚度），和還原的氧化石墨烯。因此，在石墨烯可控制備的必然趨勢有如下幾點：（1）宏量制備薄的、高質量的石墨烯粉體；（2）大面積、高質量、層數可控石墨烯薄膜可控制備；（3）針對不同應用需求，實現尺寸可控、能帶可控、功能化調制的石墨烯制備。（4）邊緣平整的高質量石墨烯納米帶制備以及石墨烯圖形化技術。
格瑞豐團隊及國內外團隊在石墨烯制備領域進展
（2）光電子器件及信息通信應用
石墨烯由于其獨特的Sp2結構，具有優異的電學和光學性能，其室溫本征遷移率可高達105 cm2 /V×s，載流子類型、濃度高度可調。光學方面，紫外、可見、近紅外很寬波長范圍內的光均具有優異的透射率，如單層石墨烯在可見光波段內的透射率為97.7％。因而，碳納米材料在將來的高頻電子、寬帶光電子器件方面具有重要應用，成為下一代信息技術重要材料體系。
石墨烯具有電場快速可控的費米能量調控，從而實現對光吸收的控制達到光幅度調整功能，優勢在于可實現寬帶、工藝簡單、溫度性能穩定。隨著其材料、器件的優化，性能提升，將在下一代寬帶高速的光互連中發揮重要作用。IBM的研究人員成功研制出截止頻率可達100 GHz的射頻石墨烯晶體管，該項目是美國國防部高級研究計劃局“碳電子射頻應用項目”，其進展為研發下一代通信設備鋪平了道路。美國加州大學Berkeley分校的張翔研究組在Si波導中利用石墨烯已經初步實現了1GHz的調制速度。制作工藝簡單，性能提高潛力大。然而，其與石墨烯理論可達到的性能指標還相距甚遠。
利用光與石墨烯強的相互作用，石墨烯室溫高的電子、空穴遷移率特性和石墨烯器件的高跨導性能，通過對石墨烯材料的結構、能帶調控，以及對石墨烯與金屬電極的接觸調控，發展下一代光通訊中的室溫紅外、THz探測器。IBM在1.5mm光通訊波段實現了0.2 mA和10Gbit/s的光電流探測。這些進展對于彌補傳統半導體在高速的紅外、THz探測器方面的缺陷具有重要作用。然而，其光響應率和暗電流指標還有待進一步改善。
因此，進一步設計新的光電器件和開發新的基于石墨烯光電器件的工藝，改善石墨烯在高頻光電器件中的性能，以及開展石墨烯納米帶的晶體管性能、新型電子學（谷電子學）、自旋電子學器件，是石墨烯發展的重要趨勢。
（3）石墨烯的儲能、傳感應用
由于具有大的比表面積和高的導電性，石墨烯在超級電容器中有著重要的應用價值。R. Ruoff 小組首先制作出了基于還原氧化石墨烯的超級電容，之后天津大學陳永勝小組將氧化還原石墨烯的水相超級電容器比容量提高到205 F/g, Li Dan小組將潤濕的石墨烯膜用到超級電容器中得到超高功率密度分別為777 kW/kg(離子液體)和414kW/kg（水相），能量密度為150.9 Wh/kg(離子液體)。最近R. Ruoff小組又在還原的氧化石墨烯上打孔，得到了具有超高比表面積石墨烯（3100 m2/g），并得到優異的超級電容器性能。更多的進展見表1?？梢娔壳笆┰诔夒娙萜髦械膽弥饕沁€原的氧化石墨烯。但是還原的氧化石墨烯在制作的過程中引入了大量雜原子和缺陷，導電性上明顯低于本征的石墨烯，也大大影響了超級電容器比電容和循環穩定性。在相同比表面積下，高質量無缺陷的石墨烯在導電性上明顯優于還原氧化石墨烯，因此能否制備宏量高質量石墨烯是未來石墨烯儲能器件性能提升的關鍵。
鋰離子電池具有開路電壓高、能量密度大、使用壽命長、無記憶效應、無污染以及自放電率小等優點，成為近年來研究發展迅速的新一代二次電池之一。據IHS公司的蓄電池專題報告，由于價格逐漸趨低，以及來自電動和混合動力汽車市場的需求推動，鋰離子將成為全球主要的充電電池技術。新型二維材料石墨烯的發現，為鋰離子電池更為廣泛的應用開辟了一條新的道路。美國俄亥俄州Nanotek儀器公司的研究人員利用鋰離子可在石墨烯表面和電極之間快速大量穿梭運動的特性，開發出一種新型儲能設備，該新電池的比功率為100 kW/kg，比商業鋰離子電池高100倍，比超級電容高10倍。新型鋰電池充電時間將不到1 min，充滿電的電動汽車可以續航超數百公里。這無疑極大地突破了現有的動力電池充電時間過長續航能力短等應用瓶頸，而這也無疑將會推動電動汽車的發展與普及。
發展高性能的柔性儲能、傳感是石墨烯應用的重要發展趨勢，對取代傳統ITO的柔性透明導電薄膜和柔性的傳感器、電容電池提出新的要求。前期基礎工作已經演示納米碳材料在這些方面的重要前景，將在此基礎上，重點開發同時具有透光和導電性能的大面積納米碳材料薄膜和導電墨水，結合印刷、涂覆等薄膜加工技術發展低成本碳納米管或石墨烯透明導電薄膜，實現其在智能觸控器件中的實際應用；利用微納探測技術實現納米碳材料在鋰電存儲中的形貌、應力、壽命等性能的獨特測試；結合傳統微納加工手段，實現柔性傳感器和電池、電容器件，是新興納米碳材料在下一代信息、環境、能源中的重要應用。
（4）導電墨水、打印電子學應用
印刷電子學自發現至今，就以其極低成本和快速印制相結合的加工方法，促進了相關專業產業的形成、發展與進步。目前國外許多新興企業和知名公司都對薄膜印刷電子產業給予了極大的關注。石墨烯由于具有高的電學性能，大的機械強度，良好的柔韌性，化學穩定性，和良好的透光性，使得石墨烯非常適合作為新興導電添加劑加入到導電墨水中，從而能夠推動印刷電子工業的深入發展。劍橋大學的Andrea Ferrari領導的科研團隊首次用普通打印機打印出石墨烯薄膜電路，它的遷移率達到了～95cm2V?1s?1，高于導電聚合物0.02-0.5 cm2/Vs，其穩定性能也有了很大的提高。韓國Jyongsik Jang等人用噴墨打印還原的氧化石墨烯(rGO)演示了500 MHz偶極子天線RFID性能（Adv. Mater. 2011, 23, 2113）, 他們也用打印方法實現了透明石墨烯電極的揚聲器（Chem. Comm. 47, 8527 (2011)）。這種新材料還可以在推進創造柔性顯示器起到的重要作用。近年來，新成立的Vorbeck Materials 公司和Innophene 公司均致力于石墨烯導電墨水制備和應用的開發，并有望在基于石墨烯墨水打印制備智能標簽應用中實現突破。Vorbeck公司去年開始計劃生產石墨烯導電油墨，他們研究發現，隨著Vor-ink與由石墨烯組成的導體電路完全整合，它顯示出有競爭力的價格的優異的導電性，也可以彎曲和弄皺并不損壞電路，可以廣泛應用于防盜包裝上?；贛D-Vorbeck材料計劃，在2011年末開始生產第一個石墨烯基的導電油墨用于將RFID天線壓印基板上。而國內基于石墨烯的打印電子學還處于實驗室研究階段，尚未形成規模。
（5）石墨烯透明導電薄膜及觸控體系應用：
在石墨烯薄膜制備的發展過程中，2004年英國曼徹斯特大學Geim小組首先使用機械剝離法得到石墨烯薄膜，缺點是只能得到微米量級大小的石墨烯薄膜，因此只適合于實驗室研究，無法實現工業化大規模生產。2008年，美國休斯頓大學首先正式發表了用化學氣相沉積(CVD)的方法在鎳和銅基底上合成石墨烯的生長方法，并成功生長出了世界上第一塊大尺寸的高質量石墨烯薄膜。同年12月美國麻省理工大學MIT的研究人員也發表了在鎳襯底上用CVD方法生長石墨烯。隨后2009年韓國成均館大學B.H. Hong博士，美國得克薩斯大學奧斯丁分校R. Ruoff 博士的團隊也相繼報道進一步優化生長條件后的成果。2010年三星公司，率先將石墨烯薄膜材料應用于觸控技術，推出石墨烯電阻式觸摸屏。
目前，石墨烯薄膜的新發展趨勢如下：優質的透明電極材料要求保證高透光率同時擁有低方塊電阻，工業用ITO薄膜材料依使用要求不同，方塊電阻在200~1000歐姆，透光率80%~90%（數據均來自于公開報道）。因此，石墨烯薄膜材料也必須滿足這兩項指標，才能在觸控技術中采用。
3、各研究方向未來應用前景分析
根據Lux Research 2009年報告，2008年石墨烯市場19.6萬美元，到2015可達5900萬美元，其相關產品市場預計可達530億美元，將廣泛應用于能源、汽車、航空航天、電子、顯示、醫療等領域。
（1）規?；苽浼皩щ?、導熱應用
高質量石墨烯制備低成本宏量制備突破后，由于其優異的導電、導熱、力學性能，在石墨烯作為新材料應用方面：石墨烯本身和作為復合體系添加材料，起到力學、電學、導熱增強作用，在導電、導熱、抗靜電、電磁屏蔽、力學增強等多方面具有重要應用。
（2）光電子器件及信息通信應用
在微電子材料領域，隨著對器件高頻、高速、低功耗、微型化、高集成度等性能的要求不斷升級，而且硅材料本身較低的載流子遷移率和硅晶體管加工極限的限制，迫切需要開發遷移率更高的新材料體系以及與平面工藝相兼容的器件加工技術，以解決集成電路進一步發展所面臨的芯片性能和功耗相互制約的瓶頸問題。碳基材料及碳基電子學器件有望補充傳統的Si基和III-V族半導體器件與電路性能。石墨烯基的電子、光電子器件有望在高頻場效應放大器件、石墨烯寬帶高速的光調制和紅外、THz光探測器件具有重要應用。
（3）石墨烯的儲能、傳感應用
獲得高質量大量石墨烯的方法對于實現石墨烯在儲能方面的應用具有重要意義，如提高可逆比容量、倍率容量，改善循環穩定性。目前在氧化還原石墨烯應用在鋰離子電池體系中，氧化還原石墨烯作為鋰離子電池負極，導電性較差、結構缺陷較多，制約了進一步提高鋰離子電池容量和循環性能。國際上對高質量石墨烯應用在鋰離子電池上的研究才剛剛開始，已經報道的實驗工作極少。主要基于采用CVD制備高質量石墨烯，發現單層石墨烯與少層石墨烯儲鋰機制不同。由于吸附鋰離子后的庫倫斥力的存在，導致比表面積大的單層石墨烯并沒有比少層石墨烯的比容量大。因而高質量薄層石墨烯片，由于制備的困難，目前對于層間儲鋰還是邊緣與表面吸附誰占主導以及與薄層石墨的構效關系尚不清楚。
新興的石墨烯，是由碳原子以SP2雜化形式形成的蜂窩狀的二維結構，石墨烯所有原子都處于表面，具有大的比表面積，能夠大限度的吸附氣體分子，石墨烯具有優異的導電能力，獨特的二維結構使其與現有的微加工工藝兼容。相對于碳納米管，石墨烯具有更大的比表面積和成本低，容易分散等優勢，因此石墨烯是一種有前景的氣體響應材料，基于石墨烯的氣體傳感器成為當前的一個研究熱點。2007年，Geim小組制備出首個石墨烯NO2單分子傳感器（NatureMaterials 6, 652 (2007)），到目前為止，探測NH3，H2，O2，H2O等的石墨烯傳感器已經報道（Nano Letters 9, 1472 (2009)；ACS Nano 3, 301（2009）； Advanced Materials，ASAP（2010）；NanoLetters 8,3137 (2008)）。我們提出用基于石墨烯的傳感器件，優化器件結構，研究基于石墨烯的NO直接測定，實現室溫、高靈敏、低功耗、便攜的氣體傳感器，該項目對提高呼吸傳感器靈敏度和哮喘發作的早期診斷具有重要科學和應用價值。
（4）導電墨水、打印電子學應用
噴墨打印技術是一種能夠控制打印形狀、尺寸、厚度可控的打印圖案的有效方法。幾種制作墨水的導電材料有金屬納米顆粒、半導體導電聚合物和碳基納米材料。金屬納米顆粒具有良好的導電性，而成本相對較高且易于氧化。導電聚合物有柔性處理優勢，而導電率較低。而碳納米材料具有原料廣泛、導電性能好等優勢，是一種具有極大應用潛力的打印電子材料。NanoMarkets 預測2017年納米碳材料基的打印墨水有將達到近$8.15億美元。
（5）石墨烯透明導電薄膜及觸控體系應用
石墨烯透明導電薄膜以其優異的導電性能、透光率和柔韌性，及低廉的制造成本和綠色的回收潛能，將代替目前主流的透明電極材料ITO薄膜。ITO玻璃為氧化銦錫，銦作為稀有金屬儲量有限，且具有較強毒性，隨著觸摸屏產業的不斷擴張而導致消耗增加，原材料成本不斷上漲，隨著各國對稀有元素控制開采，將會使產業界的大規模使用逐漸受到限制。石墨烯薄膜制備簡單，原材料充足且易于回收利用，環境友好。石墨烯薄膜可替代現有的氧化銦錫（ITO）應用于新型信息終端、太陽能電池、電子紙、智慧玻璃、有機LED等領域的透明電極，尤其在柔性電子器件方面有著其獨有的優勢。
目前，透明電極主要客戶來自于平板顯示器和觸摸屏中的應用，主要制造商集中于東亞地區，觸摸屏模組生產以日本、韓國、臺灣和大陸的華南地區。根據日本Techno Systems Research公司 12月公布的調查報告顯示，智能手機和平板終端的成功，帶動2010年全球觸膜屏面板市場較2008年成長31%至6.1億片，且預估2016年其市場規?？赏M一步成長至13.6億片的規模。2010年全球小尺寸觸摸屏面板市場將自2008年的4.4億片擴增至5.6億片的規模；中尺寸( 7-9吋)觸摸屏面板市場將擴大至4,000萬片。美國調查公司DisplaySearch預測，2010年觸摸面板的全球市場規模將由2009年的43億美元迅速擴大至61億美元。美國市場研究公司Gartner指出，2010全球觸摸屏移動設備銷售量將超過3.62億部，同比增長96.8%。而全球平板電腦預計到2011年銷量會達到5400萬臺，到2014年將達到2.08億臺。
石墨烯應用路線圖（Nature 490, 192 (2012))
4、我國目前研究現狀和研發水平
近年來，國內在石墨烯的制備方面取得了很大的進展，以及能源應用基礎研究方面也有一些較好的進展。2011年，中科院沈陽金屬所，成會明研究組利用泡沫鎳為模板在國際上率先制出三維石墨烯新結構，演示了與聚合物復合體系材料具有良好的力學和電學性能。(Nat. Mater.10，424-428(2011) )。他們研究團隊與大連化物所合作，在大尺寸單晶石墨烯及其薄膜的制備和無損轉移方面取得重要進展(Nat. Commun. 1702 (2012) )。他們提出采用貴金屬鉑作為生長基體，實現了毫米級尺寸六邊形單晶石墨烯的制備2011年，北京大學劉忠范院士研究組在非貴金屬襯底上通過偏析生長晶片尺寸的石墨烯，并詳細報道了石墨烯偏析生長的機制(Nano Lett. 11, 297-303(2011)。最近該研究小組又在鎳鉬合金上生長覆蓋率達到100%的單層石墨烯(Nat. Commun. 2，522 (2012) )。中國科學院大連化學物理研究所包信和院士課題組早期采用碳化硅作為碳源制備石墨烯(Adv. Mater., 22, 2168 (2010))，此外，以Ru作為催化劑研究石墨烯生長機制(J. Phys. Chem. C, 116, 2988(2012))及其利用石墨烯作為模板擔載催化劑(Angew. Chem.-Int. Edit., 50, 10236(2011) ) 等方面取得重要進展。中科院物理所高鴻鈞課題組在國際上率先在釕單晶Ru(0001)制備出高質量單晶石墨烯薄膜(Chin. Phys.16,3151(2007)，Adv. Mater. 21, 2777 (2009) )，得到國際同行的關注。清華大學的石高全團隊在石墨烯的化學合成與功能化等方面從事了系列研究工作(ACS Nano 4, 1963-1970(2010), J.Am.Chem.Soc. 131,13490-13497(2009) )，特別是在石墨烯增強高分子復合材料，石墨烯修飾電極以及共軛分子修飾石墨烯等方面取得了進展。2009年，天津大學陳永勝小組將氧化還原石墨烯的水相超級電容器比容量達205F/g。（J. Phys.Chem.C, 113, 13103-13107(2009)）。他們還設計并制備了以SPFGraphene作為電子受體,具有體相異質結結構的有機太陽能電池, 其在空氣條件下的光電轉化效率可達1.4%。中科院蘇州納米所團隊在層數可控的石墨烯薄膜、石墨烯-半導體量子點復合體系光電薄膜制備與性能(Advanced Materials 22，638 (2010),Advanced Functional Materials 2012, AppliedPhysics Letters 2012）、石墨烯靈敏度化學傳感器制作(ACS Nano 5，6955 (2011))、以及石墨烯作為紅外光探測器的透明導電薄膜(NanoscaleResearch Letters, 6, 250 (2011))取得了系列研究進展。國內在石墨烯制備方面基本實現了與國際同步的進展墨水制備已經取得一些初步的研究進展，中科院化學所劉云圻研究員等利用“咖啡環曝光”方法實現了噴墨打印的高分辨率大面積石墨烯圖案化（Adv. Mater. 24, 436 (2012)）。天津南開大學的陳永勝教授等利用氧化還原石墨烯制備了導電墨水，并以打印方法演示了石墨烯基的電路和化學傳感器功能（Nano Res. 2011, 4(7): 675–684675）。這些研究突破有助于科學家們大規模廉價制造出柔性可穿戴的電子設備。
綜上所述，國內的科研院所及高校已經對石墨烯的相關研究有了相當深厚的技術積累。從發表文章的質量和數量來看，并不遜色于世界上的知名研究小組，甚至在某些方面已經超越并達到了世界領先水平。然而，高質量石墨烯的規?；苽淠芰?，和石墨烯基產業化應用在國內仍尚有待提高。
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